级联电路及级联器件
授权
摘要

本实用新型揭示了一种级联电路及级联器件,所述级联电路包括:低压增强型器件及高压耗尽型器件,所述低压增强型器件和高压耗尽型器件分别包括栅极、源极及漏极,且所述低压耗尽型器件的漏极与高压耗尽型器件的源极电性连接,作为级联电路的中间电极,低压增强型器件的源极与高压耗尽型器的栅极电性连接,作为级联电路的源极,低压增强型器件的栅极作为级联电路的栅极,高压耗尽型器件的漏极作为级联电路的漏极;电容及电阻,并联设置且分别电性连接于级联电路的中间电极与级联电路的源极之间。本实用新型能有效控制级联结构中间电极点的电压在高速开关过程中的漂移,降低中间电极点关断时刻的电压;具有较小的等效米勒电容,能够实现更高的开关频率。

基本信息
专利标题 :
级联电路及级联器件
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202021938520.4
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-09-08
授权号 :
CN212725307U
授权日 :
2021-03-16
发明人 :
蒋胜柳永胜胡峰白强唐瑜陈辉于洁
申请人 :
苏州英嘉通半导体有限公司
申请人地址 :
江苏省苏州市相城区高铁新城南天成路88号天成信息大厦601-A148室
代理机构 :
苏州三英知识产权代理有限公司
代理人 :
周仁青
优先权 :
CN202021938520.4
主分类号 :
H01L27/088
IPC分类号 :
H01L27/088  H01L29/20  H01L29/06  
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/08
只包括有一种半导体组件的
H01L27/085
只包含场效应的组件
H01L27/088
有绝缘栅场效应晶体管的组件
法律状态
2021-03-16 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
  • 联系电话
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 联系 Q Q
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 关注微信
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 收藏
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332