级联器件
授权
摘要
本实用新型揭示了一种级联器件,所述级联器件包括衬底、位于衬底上的外延结构、位于外延结构上的若干钝化层及若干电极,所述外延结构包括位于衬底上的沟道层及位于沟道层上的势垒层,所述外延结构上设有增强区域及耗尽区域,所述电极包括位于外延结构上的源极、漏极、中间电极、第一栅极、第二栅极,第二栅极与源极电性连接,所述源极、漏极、第一栅极分别作为级联器件的源极、漏极和栅极。本实用新型通过在级联器件中引入中间电极,有效地分离了级联器件中低压增强型部分与高压耗尽型部分的相互作用;抑制了低压部分栅极因干法刻蚀而导致的栅极漏电流增大的问题,提升了器件的整体耐压,使其能够适用于高压应用场景。
基本信息
专利标题 :
级联器件
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202021934893.4
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-09-07
授权号 :
CN212648245U
授权日 :
2021-03-02
发明人 :
蒋胜柳永胜胡峰白强唐瑜陈辉于洁
申请人 :
苏州英嘉通半导体有限公司
申请人地址 :
江苏省苏州市相城区高铁新城南天成路88号天成信息大厦601-A148室
代理机构 :
苏州三英知识产权代理有限公司
代理人 :
周仁青
优先权 :
CN202021934893.4
主分类号 :
H01L27/088
IPC分类号 :
H01L27/088 H01L29/20 H01L29/06
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/08
只包括有一种半导体组件的
H01L27/085
只包含场效应的组件
H01L27/088
有绝缘栅场效应晶体管的组件
法律状态
2021-03-02 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
CN212648245U.PDF
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