一种叠层结构级联型GaN基功率器件
授权
摘要
本实用新型提供了一种叠层级联型GaN基功率器件。该器件结构为TO‑220框架上面粘接设有通孔和凹槽的DBC双面陶瓷基板，DBC陶瓷基板凹槽中粘接GaN基芯片，垂直结构的硅基MOSFET叠放于GaN基芯片源极上形成Cascode级联结构。本实用新型通过对GaN基芯片和硅基MOSFET芯片合理布局实现Cascode级联结构，减小了芯片占用框架的面积，减小封装体体积且提高了封装形式的选择性；通过设有通孔和凹槽结构的高导热DBC双面陶瓷基板增大了芯片与高导热材料的接触面积，提高了芯片散热性能、优化了工艺步骤，使器件的可靠性和实用性提高。
基本信息
专利标题 ：
一种叠层结构级联型GaN基功率器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020366332.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-03-22
授权号 ：
CN213752698U
授权日 ：
2021-07-20
发明人 ：
王洪胡文龙高升武智斌
申请人 ：
华南理工大学
申请人地址 ：
广东省广州市天河区五山路381号
代理机构 ：
广州粤高专利商标代理有限公司
代理人 ：
何淑珍
优先权 ：
CN202020366332.2
主分类号 ：
H01L25/07
IPC分类号 ：
H01L25/07 H01L21/98 H01L21/50 H01L23/367 H01L23/373 H01L23/495 H01L23/498
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L25/00
由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件
H01L25/03
所有包含在H01L27/00至H01L51/00各组中同一小组内的相同类型的器件，例如整流二极管的组装件
H01L25/04
不具有单独容器的器件
H01L25/07
包含在H01L29/00组类型的器件
法律状态
2021-07-20 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
