一种功率模块上下桥芯片叠层布局结构以及功率模块

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摘要

本实用新型提供了一种功率模块上下桥芯片叠层布局结构以及功率模块，芯片叠层布局结构包括沿着竖直方向从上到下部分重叠设置的下桥芯片与上桥芯片，所述下桥芯片下表面的集电极与所述上桥芯片上表面的发射极互相连接。通过将上下桥芯片在竖直方向上进行三维的叠层布局，减小了上下桥芯片在功率模块中占用的二维平面上的面积，进而有效减小了整个模块的面积与体积；同时，上下桥芯片的叠层布局缩短了二者间的导电路径，提高了电性能。功率模块包括了上述芯片叠层布局结构，进而也具备其所具备的优点。

基本信息

专利标题：

一种功率模块上下桥芯片叠层布局结构以及功率模块

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202020184286.4

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-02-19

授权号：

CN211629106U

授权日：

2020-10-02

发明人：

黄玲史波曾丹敖利波

申请人：

珠海格力电器股份有限公司;珠海零边界集成电路有限公司

申请人地址：

广东省珠海市前山金鸡西路

代理机构：

北京聿宏知识产权代理有限公司

代理人：

吴大建

优先权：

CN202020184286.4

主分类号：

H01L25/07

IPC分类号：

H01L25/07 H01L25/18 H01L23/31 H01L23/495