一种片上级联电子源及真空电子器件
授权
摘要
本实用新型公开了一种片上级联电子源及真空电子器件。片上级联电子源包括衬底和多个隧穿结，多个隧穿结均设置于衬底上且至少两个隧穿结之间通过串联的方式相连；其中，隧穿结包括一对金属性电极和绝缘层，绝缘层分别与一对金属性电极相连。真空电子器件包括本实用新型一个或多个实施例的片上级联电子源。与常规的片上电子源相比，本实用新型能够显著地提高片上电子源的电子发射效率、增大电子源的集成度及增加电流发射密度，以使片上电子源具有更大的整体发射电流；而且本实用新型提供的片上级联电子源还具有成本低、尺寸小等突出优点；所以本实用新型提供的电子源能够广泛地应用于涉及电子源的各种电子器件，尤其是微型或小型真空电子器件。
基本信息
专利标题 ：
一种片上级联电子源及真空电子器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021115726.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-06-16
授权号 ：
CN212392204U
授权日 ：
2021-01-22
发明人 ：
魏贤龙李志伟
申请人 ：
北京大学（天津滨海）新一代信息技术研究院
申请人地址 ：
天津市滨海新区中心商务区于家堡金融区双创大厦25层
代理机构 ：
北京辰权知识产权代理有限公司
代理人 ：
付婧
优先权 ：
CN202021115726.7
主分类号 ：
H01J1/312
IPC分类号 ：
H01J1/312
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01J
放电管或放电灯
H01J1/00
电极的、磁控装置的、屏的零部件及其设置或间隔，通用于两种以上基本类型的放电管或灯的零部件
H01J1/02
主电极
H01J1/30
冷阴极
H01J1/312
有垂直于表面的电场的，例如金属—绝缘体—金属型隧道效应阴极
法律状态
2021-01-22 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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