基于级联结构氮化镓功率器件应用的安全限压保护电路
授权
摘要
本实用新型公开了基于级联结构氮化镓功率器件应用的安全限压保护电路，包括主控电路、Cascode GaN HEMT和门驱动电路，所述主控电路与门驱动电路连接，所述门驱动电路与Cascode GaN HEMT的G端口连接，所述Cascode GaN HEMT的Com端口电性连接有用于防浪涌过压的安全限压保护电路，本实用新型结构简单，利用瞬态二极管(TVS)或压敏电阻(VDR)，将Vcoms钳位保护在安全设计的电压差范围内，降低低压Si N MOS过压故障率，也可以有效防止雷击浪涌或过压等异常能量引起的Cascode GaN HEMT的异常工作，增强了D mode型Cascode GaN HEMT器件在电路应用中的稳定性，实际应用中，该电路可以有效的降低器件工作状态的温升，使用方便。
基本信息
专利标题 ：
基于级联结构氮化镓功率器件应用的安全限压保护电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122165912.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-09-08
授权号 ：
CN216437166U
授权日 ：
2022-05-03
发明人 ：
刘箭吕勇钱晓伟
申请人 ：
上海浪新数据技术股份有限公司;聚力成半导体（上海）有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区张江盛夏路169号A幢312室
代理机构 ：
北京国坤专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
赵红霞
优先权 ：
CN202122165912.2
主分类号 ：
H03K17/041
IPC分类号 ：
H03K17/041 H03K17/687
法律状态
2022-05-03 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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