一种级联型GaN基功率器件的封装结构及封装方法
实质审查的生效
摘要
本发明实施例公开了一种级联型GaN基功率器件的封装结构及封装方法。其中，该封装结构中，HEMT芯片、MOSFET芯片、框架基岛和导电连接结构封装于塑封材料中；框架基岛的第一侧表面设置有凹槽，导电连接结构固定于凹槽内且与框架基岛绝缘；MOSFET芯片倒置于框架基岛的第一侧表面，MOSFET芯片的栅极与导电连接结构电连接，源极与第一侧表面的非凹槽所在区电连接；HEMT芯片正置于框架基岛的第一侧表面，源极与MOSFET芯片的漏极通过引线电连接；栅极通过引线与框架基岛电连接。本发明实施例提高了芯片散热性能和可靠性，同时，降低了寄生感抗，提高了开关性能和能源效率。
基本信息
专利标题 ：
一种级联型GaN基功率器件的封装结构及封装方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114284231A
申请号 ：
CN202111618972.3
公开（公告）日 ：
2022-04-05
申请日 ：
2021-12-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
吴毅锋王美玉曾凡明李生东
申请人 ：
珠海镓未来科技有限公司
申请人地址 ：
广东省珠海市横琴新区环岛东路3018号2309办公
代理机构 ：
北京品源专利代理有限公司
代理人 ：
潘登
优先权 ：
CN202111618972.3
主分类号 ：
H01L23/495
IPC分类号 ：
H01L23/495 H01L25/18 H01L21/48 H01L21/60
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
H01L23/488
由焊接或黏结结构组成
H01L23/495
引线框架的
法律状态
2022-04-22 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/495
申请日 : 20211227
申请日 : 20211227
2022-04-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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