一种功率器件封装方法及封装框架

实质审查的生效

摘要

本发明公开了功率器件封装方法，提供用于封装功率MOS管的封装框架，封装框架包括金属垫片、第一金属层、第二金属层、绝缘导热层和间隔排列的三个金属电极，绝缘导热层环设于金属垫片的四周，第一金属层和所述第二金属层对称设置于绝缘导热层两侧，第一金属层与第二金属电极连接，第二金属层与第一金属电极连接，金属垫片与第三金属电极连接，将功率MOS管的漏极与金属垫片焊接，在封装框架表面进行金属蒸发工艺，在蒸发金属表面进行光刻，去除部分蒸发金属形成位于封装框架上的栅极连接线和源极连接线，封装框架表面进行树脂包裹、塑封，以形成功率MOS管的直插式封装，有效避免了单个芯片反复打线过程，提高了功率MOS管的封装效率。

基本信息

专利标题：

一种功率器件封装方法及封装框架

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN114334670A

申请号：

CN202111604408.6

公开（公告）日：

2022-04-12

申请日：

2021-12-24

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

顾岚雁林河北梅小杰解维虎覃尚育

申请人：

深圳市金誉半导体股份有限公司

申请人地址：

广东省深圳市龙华区大浪街道浪口社区华昌路315号1层(华昌路工业区14栋1-3层,17栋1-3层)

代理机构：

深圳峰诚志合知识产权代理有限公司

代理人：

李明香

优先权：

CN202111604408.6

主分类号：

H01L21/48

IPC分类号：

H01L21/48 H01L21/60 H01L23/495

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L21/00

专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备

H01L21/02

半导体器件或其部件的制造或处理

H01L21/04

至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层

H01L21/48

应用H01L21/06至H01L21/326中的单一小组都不包含的方法，在器件组装之前制造或处理部件，例如容器

法律状态

2022-04-29 ：

实质审查的生效

IPC(主分类) : H01L 21/48
申请日 : 20211224

2022-04-12 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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