GaAs基单模面发射量子级联激光器结构及其制造方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
一种GaAs基单模面发射量子级联激光器结构，包括：一衬底，及在衬底上依次生长的背欧姆接触电极、下覆盖层、下波导层、有源层、上波导层、上覆盖层、隔离层，该隔离层淀积在上覆盖层上及下波导层的两侧的上面和有源层、上波导层、上覆盖层的侧面，该隔离层的中间纵向开有一电流注入窗口；一上欧姆接触电极，该上欧姆接触电极淀积在隔离层上并覆盖电流注入窗口除去中间宽W的裸露光栅区；一表面二级分布反馈光栅，该二级分布反馈光栅制作在上覆盖层上，深度接近上覆盖层；一电极引线，该电极引线制作在表面二级分布反馈光栅两侧台阶上的上欧姆接触电极上。
基本信息
专利标题 ：
GaAs基单模面发射量子级联激光器结构及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101026287A
申请号 ：
CN200610003179.1
公开（公告）日 ：
2007-08-29
申请日 ：
2006-02-22
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
刘俊岐刘峰奇李路邵烨郭瑜梁平胡颖孙虹
申请人 ：
中国科学院半导体研究所
申请人地址 ：
100083北京市海淀区清华东路甲35号
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
汤保平
优先权 ：
CN200610003179.1
主分类号 ：
H01S5/20
IPC分类号 ：
H01S5/20 H01S5/187 H01S5/343
法律状态
2009-02-11 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2007-10-24 ：
实质审查的生效
2007-08-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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