本发明公开了一种硅基半导体激光器及其制作方法。所述激光器包括第一二极管结构、发光有源区和第二二极管结构，发光有源区设置于第一二极管结构和第二二极管结构之间，当在所述第一二极管结构和/或第二二极管结构上施加预设的反向偏置电压时，所述第一二极管结构和/或第二二极管结构能够向所述发光有源区注入电子，并对所述发光有源区中的电子产生“电场阱”，从而将电子限制在发光有源区。本发明提供的硅基半导体激光器采用反向注入实现了电子‑空穴对在发光介质中电子载流子的有效收集，同时能有效实现能够发光的导带能谷电子和价带带顶空穴的粒子数反转，从而实现了硅基激光器的电注入激射。