GaN基半导体发光元件及其制作方法
专利权的终止
摘要
一种GaN基半导体发光元件，其中压电自发极化在有源层的厚度方向被抑制同时降低了发光二极管的驱动电压。GaN基半导体发光元件包括在层中顺序地形成的具有与A面平行的顶面的第一导电类型的第一GaN基化合物半导体层(21)、具有与A面平行的顶面的有源层(22)、具有与A面平行的顶面的第二导电类型的第二GaN基化合物半导体(23)以及由GaN基化合物半导体组成的具有与A面平行的顶面的接触层(24)。第一电极(25)形成于第一GaN基化合物半导体层(21)上，和第二电极(26)形成于接触层(24)上。
基本信息
专利标题 ：
GaN基半导体发光元件及其制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101142693A
申请号 ：
CN200580049054.6
公开（公告）日 ：
2008-03-12
申请日 ：
2005-12-26
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
奥山浩之琵琶刚志
申请人 ：
索尼株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
彭久云
优先权 ：
CN200580049054.6
主分类号 ：
H01L33/00
IPC分类号 ：
H01L33/00
法律状态
2017-02-15 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101702996990
IPC(主分类) : H01L 33/00
专利号 : ZL2005800490546
申请日 : 20051226
授权公告日 : 20091104
终止日期 : 20151226
号牌文件序号 : 101702996990
IPC(主分类) : H01L 33/00
专利号 : ZL2005800490546
申请日 : 20051226
授权公告日 : 20091104
终止日期 : 20151226
2009-11-04 ：
授权
2008-05-07 ：
实质审查的生效
2008-03-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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