半导体激光器及其制作方法
专利申请的视为撤回
摘要
一种半导体激光器包含：第一导电型半导体衬底：设置在衬底上的第一导电型下包层；设置在下包层上的量子阱结构层；设置在量子阱结构层上的第二导电型上包层；形成在上包层上并包含沿激光器谐振腔长度方向延伸而不达到半导体激光器谐振腔两个小端面的条形第二导电型半导体的脊；通过离子注入杂质在谐振腔两个小端面附近量子阱结构层的窗口结构中形成无序化区；以及设置在上包层上的第一导电型电流阻塞层。
基本信息
专利标题 ：
半导体激光器及其制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1093836A
申请号 ：
CN93112950.8
公开（公告）日 ：
1994-10-19
申请日 ：
1993-12-20
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
永井丰岛显洋
申请人 ：
三菱电机株式会社
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 ：
王以平
优先权 ：
CN93112950.8
主分类号 ：
H01S3/025
IPC分类号 ：
H01S3/025 H01S3/085 H01S3/18 H01L33/00
法律状态
2001-03-07 ：
专利申请的视为撤回
1995-06-21 ：
实质审查请求的生效
1994-10-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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