半导体激光器及其制作方法
实质审查的生效
摘要
本发明涉及一种半导体激光器，包括衬底，衬底上依次外延生长有缓冲层、有源层以及InP层，还包括光栅层，光栅层的制作具体为于InP层向有源层的方向刻蚀形成光栅，并在经过刻蚀后的InP层上进行光栅掩埋得到光栅层；在进行光栅掩埋前通入惰性气体；光栅层中的高折射率材料和进行光栅掩埋的材料相同，惰性气体作为光栅层中的低折射率材料。还提供一种制作方法。本发明的光栅层设计中以惰性气体作为低折射率材料，使得光栅层材料折射率差为传统设计的10倍及其以上，极大地提高光栅耦合系数，进而提高激光器的耦合效率和功率效率。光栅层设计材料相同，相较于传统的InGaAsP/InP两种材料，相同的材料设计，易于外延生长，有助于提高界面处光栅层外延生长质量。
基本信息
专利标题 ：
半导体激光器及其制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114421280A
申请号 ：
CN202210315573.8
公开（公告）日 ：
2022-04-29
申请日 ：
2022-03-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李鸿建龙浩郭娟
申请人 ：
武汉云岭光电有限公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市东湖新技术开发区长城园路2号武汉澳新科技1号厂房102室
代理机构 ：
北京汇泽知识产权代理有限公司
代理人 ：
徐俊伟
优先权 ：
CN202210315573.8
主分类号 ：
H01S5/12
IPC分类号 ：
H01S5/12 H01S5/125 H01S5/10
法律状态
2022-05-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01S 5/12
申请日 : 20220329
申请日 : 20220329
2022-04-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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