基于组分渐变硅碳应变层的硅基半导体光电材料与制备
实质审查的生效
摘要
本发明涉及一种基于组分渐变硅碳应变层的硅基半导体光电材料及其制备方法，该材料包括衬底层，以及由下至上依次设于衬底层上的低温缓冲层、组分渐变Si1‑xCx应变层及覆盖层；组分渐变Si1‑xCx应变层由多个依次堆叠设置的Si1‑xCx层组成，多个Si1‑xCx层中C元素掺杂浓度x由下至上依次减小。与现有技术相比，本发明将p区和n区的材料做成组分渐变Si1‑xCx层，利用Si1‑xCx应变层中材料的带隙宽度随C元素掺杂浓度的提高而降低的特点，使组分渐变Si1‑xCx应变层下部区域材料具有较小带隙宽度，可以吸收较长波段的光，组分渐变Si1‑xCx应变层上部区域材料具有较大带隙宽度，可以吸收相对较短波段的光，从而提升材料的光电转换效率。
基本信息
专利标题 ：
基于组分渐变硅碳应变层的硅基半导体光电材料与制备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114361274A
申请号 ：
CN202210012005.0
公开（公告）日 ：
2022-04-15
申请日 ：
2022-01-07
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陆皓岳智慧
申请人 ：
上海交通大学
申请人地址 ：
上海市闵行区东川路800号
代理机构 ：
上海科盛知识产权代理有限公司
代理人 ：
顾艳哲
优先权 ：
CN202210012005.0
主分类号 ：
H01L31/0288
IPC分类号 ：
H01L31/0288 H01L31/18 C30B29/36 C30B23/02
法律状态
2022-05-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 31/0288
申请日 : 20220107
申请日 : 20220107
2022-04-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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