二维半导体材料高效应变柔性衬底及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种二维半导体材料高效应变柔性衬底及其制备方法。所述方法先配置聚乙烯吡咯烷酮和聚乙烯醇溶液，并机械剥离制备薄层二维半导体材料，然后依次使用聚乙烯吡咯烷酮溶液和聚乙烯醇溶液对薄层二维半导体材料进行旋涂，最后使用胶水将柔性基底和旋涂后的SiO2/Si基片粘贴在一起，静置后将柔性基底与SiO2/Si基片分离，得到二维半导体材料高效应变柔性衬底。本发明实现了衬底和二维半导体材料间的紧密粘连，避免在施加应变的过程中样品发生滑移，将使用传统方法施加的应变上限由2％提高到7％。
基本信息
专利标题 ：
二维半导体材料高效应变柔性衬底及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114496806A
申请号 ：
CN202210023131.6
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2022-01-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
刘明岩万逸阚二军赵益彬
申请人 ：
南京理工大学
申请人地址 ：
江苏省南京市孝陵卫200号
代理机构 ：
南京理工大学专利中心
代理人 ：
刘海霞
优先权 ：
CN202210023131.6
主分类号 ：
H01L21/463
IPC分类号 ：
H01L21/463 H01L21/683 H01L27/12 H01L29/24
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/34
具有H01L21/06，H01L21/16及H01L21/18各组不包含的或有或无杂质，例如掺杂材料的半导体的器件
H01L21/46
用H01L21/36至H01L21/428各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/461
改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/463
机械处理，例如研磨、超声处理
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/463
申请日 : 20220110
申请日 : 20220110
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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