一种适用于制备高In组分InGaN材料的反应装置
授权
摘要
本实用新型公开了一种适用于制备高In组分InGaN材料的反应装置，该反应装置包括反应腔体、样品台装置、束源炉、气体离化器、真空系统和加热装置，其中：加热装置包括衬底加热装置和腔体加热装置。本实用新型提供的反应装置通过在加热器载板上设置衬底加热装置和带冷却管道的反光杯，使得加热光束和辐射热量聚焦至衬底的表面，提高了加热功率利用率，并隔绝加热光源对腔体内的各种元器件的直接辐照，降低了元器件因温度过高而产生损坏的风险。本实用新型提供的反应装置还具有能耗低、产量大、材料质量优异等诸多优点。
基本信息
专利标题 ：
一种适用于制备高In组分InGaN材料的反应装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022488531.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-11-02
授权号 ：
CN214655232U
授权日 ：
2021-11-09
发明人 ：
全知觉诸荣烽曹盛吴先民何丽华汤绘华佟金山
申请人 ：
南昌大学;南昌硅基半导体科技有限公司
申请人地址 ：
江西省南昌市红谷滩新区学府大道999号
代理机构 ：
江西省专利事务所
代理人 ：
张文
优先权 ：
CN202022488531.3
主分类号 ：
C23C16/34
IPC分类号 ：
C23C16/34 C23C16/44 C23C16/48 C23C16/458
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/22
以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C16/30
沉积化合物、混合物或固溶体，例如硼化物、碳化物、氮化物
C23C16/34
氮化物
法律状态
2021-11-09 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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