一种激光器阵列结构及其制作方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种激光器阵列结构及其制作方法，结构包括：m个激光器阵列单元，每个激光器阵列单元包括：绝缘衬底；外延层，外延层位于绝缘衬底的一侧表面上，沿第一方向，外延层间隔预设距离布置n个台阶；每个台阶包括第一表面和第二表面，第一表面上设置N接触电极，第二表面上设置P接触电极；沿第一方向，N接触电极、P接触电极依次布置，第n‑1个P接触电极与第n个N接触电极电连接；沿第二方向，m个N接触电极中的第一列连接在一起，m个P接触电极中的第n列连接在一起，第二方向与第一方向垂直，第一方向为外延层的长轴方向，n>1，m≥1或者n≥1，m>1，m、n均为正整数，以在芯片层级实现高功率量级的激光器芯片。
基本信息
专利标题 ：
一种激光器阵列结构及其制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114498302A
申请号 ：
CN202011150076.4
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2020-10-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
封飞飞郭栓银宋杰施展
申请人 ：
常州纵慧芯光半导体科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省常州市武进国家高新技术产业开发区凤翔路7号
代理机构 ：
北京品源专利代理有限公司
代理人 ：
孟金喆
优先权 ：
CN202011150076.4
主分类号 ：
H01S5/42
IPC分类号 ：
H01S5/42 H01S5/042
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01S 5/42
申请日 : 20201023
申请日 : 20201023
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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