具有导电DBR结构的GaN基垂直腔面发射激光器及其制作方...
实质审查的生效
摘要
本申请公开了一种具有导电DBR结构的GaN基垂直腔面发射激光器(VCSEL)及其制备方法。所述VCSEL包括第一、第二半导体层和设置在该两者之间的有源层，所述第一、第二半导体层分别与第一、第二DBR结构连接，所述第二DBR结构为导电DBR结构，所述导电DBR结构是采用电学击穿工艺对介质DBR结构进行处理后形成；所述第一、第二半导体层中的任一者为n型半导体层，另一者为p型半导体层。本申请VCSEL因采用了导电介质DBR结构，故而电极注入效率高，能在较大电流下稳定工作，寿命长，且制作工艺简单，可控性好，成本低，产品良率高。
基本信息
专利标题 ：
具有导电DBR结构的GaN基垂直腔面发射激光器及其制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114336282A
申请号 ：
CN202011078799.8
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2020-10-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
崔梅郭炜叶继春张耀华柯强
申请人 ：
中国科学院宁波材料技术与工程研究所;宁波升谱光电股份有限公司
申请人地址 ：
浙江省宁波市镇海区庄市大道519号
代理机构 ：
南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
王锋
优先权 ：
CN202011078799.8
主分类号 ：
H01S5/183
IPC分类号 ：
H01S5/183 H01S5/042 H01S5/024
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01S 5/183
申请日 : 20201010
申请日 : 20201010
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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