一种边发射半导体激光器封装结构及其制作方法
授权
摘要
本发明公开了一种边发射半导体激光器封装结构及其制作方法，封装结构包括金属板、塑封支架、LD芯片、热沉、金线、PCB板，所述金属板与所述PCB板之间通过所述塑封支架连接且金属板、塑封支架与PCB板围成一中空腔体，中空腔体内设置所述LD芯片、热沉、金线，所述热沉设置在所述LD芯片下部，金线两端分别连接所述LD芯片和PCB板，金属板包括水平板件和弯折板件，弯折板件向所述中空腔体内部弯折，形成与所述LD芯片的出光光路和所述弯折板件反光光路适应的金属反光板。本发明解决了现有技术中光学元件制造工艺复杂、封装成品光斑一致性较差的问题。
基本信息
专利标题 ：
一种边发射半导体激光器封装结构及其制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113540959A
申请号 ：
CN202010318189.4
公开（公告）日 ：
2021-10-22
申请日 ：
2020-04-21
授权号 ：
CN113540959B
授权日 ：
2022-06-10
发明人 ：
刘琦李彬亭梁盼吕敏秦莉
申请人 ：
山东华光光电子股份有限公司
申请人地址 ：
山东省济南市高新区天辰大街1835号
代理机构 ：
北京华际知识产权代理有限公司
代理人 ：
张文杰
优先权 ：
CN202010318189.4
主分类号 ：
H01S5/023
IPC分类号 ：
H01S5/023 H01S5/02355 H01S5/024
法律状态
2022-06-10 ：
授权
2021-11-09 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01S 5/02355
申请日 : 20200421
申请日 : 20200421
2021-10-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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