一种垂直腔面发射激光器及其的制作方法
公开
摘要
本发明公开了一种垂直腔面发射激光器及其制作方法，涉及激光器技术领域，所述垂直腔面发射激光器包括：衬底；第一欧姆接触层，形成在所述衬底的第一表面上；第一反射层，形成在所述第一欧姆接触层背离所述衬底一侧的表面上，包括第一沟槽和多个第二沟槽，第一沟槽暴露至所述第一欧姆接触层，每个所述第二沟槽的底部厚度大于零。其中，刻蚀的第二沟槽无需暴露至第一欧姆接触层，仅需刻蚀部分第一反射层即可，从而在相同的发光面积下，减小了发光单元的电阻，提升了发光单元的光电转换效率，并且减小了发光单元之间的间距，提升了单位面积中的发光面积。
基本信息
专利标题 ：
一种垂直腔面发射激光器及其的制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114583554A
申请号 ：
CN202011399258.5
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2020-12-01
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
翁玮呈丁维遵刘嵩梁栋
申请人 ：
常州纵慧芯光半导体科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省常州市武进国家高新技术产业开发区凤翔路7号
代理机构 ：
北京品源专利代理有限公司
代理人 ：
孟金喆
优先权 ：
CN202011399258.5
主分类号 ：
H01S5/183
IPC分类号 ：
H01S5/183 H01S5/42
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
