有源反馈分布式反馈激光器及其制作方法
实质审查的生效
摘要

本发明公开了一种有源反馈DFB的制作方法,包括:在衬底上形成两个掩膜条、位于两个掩膜条中间的生长窗口,每个掩膜条包括有源区掩膜和反馈区掩膜,有源区掩膜的宽度大于反馈区掩膜的宽度;在生长窗口上依次形成缓冲层、有源层、光栅层、光栅覆盖层;由光栅层形成横向延伸的均匀光栅;在光栅覆盖层上依次形成包层、电接触层;由包层形成纵向延伸的倒台型脊波导、以及位于倒台型脊波导两侧的沟槽;在倒台型脊波导上形成电隔离区;在电接触层上形成电隔离层,在电隔离层、倒台型脊波导和沟槽上形成BCB覆层;刻蚀BCB覆层,使BCB覆层仅存在于方形掩膜,和倒台型脊波导两侧的沟槽内;在方形掩膜上制备Pad电极。本发明还提供一种利用上述方法制作的DFB激光器。

基本信息
专利标题 :
有源反馈分布式反馈激光器及其制作方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114284865A
申请号 :
CN202111595855.X
公开(公告)日 :
2022-04-05
申请日 :
2021-12-24
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
朱旭愿剌晓波梁松
申请人 :
中国科学院半导体研究所
申请人地址 :
北京市海淀区清华东路甲35号
代理机构 :
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 :
张博
优先权 :
CN202111595855.X
主分类号 :
H01S5/125
IPC分类号 :
H01S5/125  H01S5/12  H01S5/22  H01S5/343  
法律状态
2022-04-22 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01S 5/125
申请日 : 20211224
2022-04-05 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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