一种分布式反馈激光器及其制备方法
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摘要
本发明提供一种分布式反馈激光器及其制备方法，分布式反馈激光器包括：InGaAlAs半导体层；P型InP过渡层；位于InGaAlAs半导体层与P型InP过渡层之间的第一P型插入层，第一P型插入层为(InGaAlAs)1－x(InP)x材料。通过在InGaAlAs半导体层与P型InP过渡层之间设置第一P型插入层，将InGaAlAs半导体层与P型InP过渡层之间的导带能阶差的绝对值转换为第一P型插入层及InGaAlAs半导体层的导带能阶差的绝对值与第一P型插入层与P型InP过渡层的导带能阶差的绝对值之和，从而减小了引入的寄生电阻大小，提升了分布式反馈激光器的器件性能。
基本信息
专利标题 ：
一种分布式反馈激光器及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112531459A
申请号 ：
CN202011397783.3
公开（公告）日 ：
2021-03-19
申请日 ：
2020-12-04
授权号 ：
CN112531459B
授权日 ：
2022-04-19
发明人 ：
郭银涛王俊程洋肖啸
申请人 ：
苏州长光华芯光电技术股份有限公司;苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市高新区昆仑山路189号科技城工业坊-A区2号厂房-1-102、2号厂房-2-203
代理机构 ：
北京三聚阳光知识产权代理有限公司
代理人 ：
项凯
优先权 ：
CN202011397783.3
主分类号 ：
H01S5/12
IPC分类号 ：
H01S5/12 H01S5/32 H01S5/323
法律状态
2022-04-19 ：
授权
2021-04-06 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01S 5/12
申请日 : 20201204
申请日 : 20201204
2021-03-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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