稀土掺杂VCSEL外腔反馈相干阵激光器及其制备方法
公开
摘要
本发明公开了一种稀土掺杂VCSEL外腔反馈相干阵激光器及其制备方法，激光器包括衬底和衬底上所制备的具有稀土元素掺杂层的VCSEL芯片外延结构，VCSEL芯片外延结构中，第一激光谐振腔和第二激光谐振腔形成光子级联复合腔，第一激光谐振腔产生第一波长激光，第一波长激光作为第二激光谐振腔中的泵浦光；第二激光谐振腔中稀土元素掺杂层中掺杂的稀土元素离子在第一波长激光的激发下产生第二波长荧光；第二波长荧光进入第三激光谐振外腔后再进入第二激光谐振腔，形成外腔互注入反馈，并由第三激光谐振外腔输出相干阵第二波长激光。通过本发明的技术方案，输出窄线宽高光束质量的相干阵激光，提高了发光效率，提高了激光光束质量。
基本信息
专利标题 ：
稀土掺杂VCSEL外腔反馈相干阵激光器及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114300940A
申请号 ：
CN202111651653.2
公开（公告）日 ：
2022-04-08
申请日 ：
2021-12-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王智勇代京京宗梦雅
申请人 ：
北京工业大学
申请人地址 ：
北京市朝阳区平乐园100号
代理机构 ：
北京汇信合知识产权代理有限公司
代理人 ：
林聪源
优先权 ：
CN202111651653.2
主分类号 ：
H01S5/183
IPC分类号 ：
H01S5/183 H01S5/42 H01S5/065
法律状态
2022-04-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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