复合外腔半导体激光器
专利权的终止未缴纳年费专利权终止
摘要
一种复合外腔半导体激光器。属于半导体激光领域，本实用新型是由激光二极管、自聚焦透镜和部分反射镜组成复合外腔，其中激光二极管在耦合腔一侧的端面镀有增透膜，全部机械结构采用热胀系数小的材料制成的，粘结为一个整体并密封在壳内，充有保护气体。本实用新型线宽≤1MHz，在无恒温控制的普通实验室内、不进行任何反馈控制，单模运转稳定时间＞24小时，同一单模运转时注入电流变化范围达15mA(0.5Ith)。边模抑制比＞25db。
基本信息
专利标题 ：
复合外腔半导体激光器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN87215998.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
1987-12-08
授权号 ：
CN87215998U
授权日 ：
1988-10-05
发明人 ：
霍玉晶许知止周炳琨
申请人 ：
清华大学
申请人地址 ：
北京市海淀区清华园
代理机构 ：
清华大学专利事务所
代理人 ：
黄学信
优先权 ：
CN87215998.1
主分类号 ：
H01S3/19
IPC分类号 ：
H01S3/19 H01S3/08
法律状态
1991-05-08 ：
专利权的终止未缴纳年费专利权终止
1989-07-19 ：
授权
1988-10-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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