外腔粘接型窄线宽单模半导体激光器
专利权的终止
摘要
本实用新型具有如下特征：(1)由半导体激光二极管、自聚焦透镜和部分反射镜组成长耦合腔，其中半导体激光二极管在耦合腔一侧的端面、自聚焦透镜的两个端面镀有增透膜；(2)全部机械结构粘接为一个整体；(3)在密封外壳内部充有保护气体；本实用新型线宽≤1MHz，体积小(25×30×70mm3)使用时不需机械调整，在室温下，不经任何反馈控制，单模稳定时间≥1小时。
基本信息
专利标题 ：
外腔粘接型窄线宽单模半导体激光器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN86202829.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
1986-05-08
授权号 ：
CN86202829U
授权日 ：
1987-06-10
发明人 ：
许知止陈家骅霍玉晶周炳琨
申请人 ：
清华大学
申请人地址 ：
北京市海淀区清华园
代理机构 ：
清华大学专利事务所
代理人 ：
胡兰芝
优先权 ：
CN86202829.9
主分类号 ：
H01S3/139
IPC分类号 ：
H01S3/139
法律状态
1990-09-12 ：
专利权的终止
1987-12-23 ：
授权
1987-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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