具有槽结构的分布式反馈激光器及制备方法
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摘要
本发明实施例提供一种具有槽结构的分布式反馈激光器及制备方法，分布式反馈激光器包括P电极、P掺杂层、量子阱有源层、N掺杂层和N电极；P电极位于P掺杂层的表面中央位置，P电极两侧分别设置有一个光子晶体孔阵列，光子晶体孔阵列由按照预设排布结构排布的多个光子晶体孔形成，每个光子晶体孔均贯穿P掺杂层、量子阱有源层和N掺杂层，并在衬底上表面截止；有源光子晶体波导层中还包括有对称双槽结构，对称双槽结构由第一凹槽和第二凹槽构成，第一凹槽和第二凹槽设置在P电极两侧，贯穿P掺杂层、量子阱有源层和N掺杂层，并在衬底上表面截止。本发明实施例利用光子晶体慢光效应设计超短激光谐振腔，从而降低芯片体积，提高芯片可集成性能。
基本信息
专利标题 ：
具有槽结构的分布式反馈激光器及制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111916999A
申请号 ：
CN202010671275.3
公开（公告）日 ：
2020-11-10
申请日 ：
2020-07-13
授权号 ：
CN111916999B
授权日 ：
2022-04-19
发明人 ：
黄翊东崔开宇刘仿冯雪张巍
申请人 ：
清华大学
申请人地址 ：
北京市海淀区双清路30号清华大学
代理机构 ：
北京路浩知识产权代理有限公司
代理人 ：
苗晓静
优先权 ：
CN202010671275.3
主分类号 ：
H01S5/12
IPC分类号 ：
H01S5/12 H01S5/24
法律状态
2022-04-19 ：
授权
2020-11-27 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01S 5/12
申请日 : 20200713
申请日 : 20200713
2020-11-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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