本发明涉及半导体光电子领域，公开了一种基于互注入联合分布式光栅反馈的光子集成混沌激光器，包括设置在同一衬底上，并从左至右依次设置的左分布式布拉格光栅区、左分布式反馈激光器区、半导体光放大区、右分布式反馈激光器区、右分布式布拉格光栅区；所述激光器芯片的电极层上设置有隔离沟，所述隔离沟将所述电极层隔离成与所述五个区分别对应的五个电极；所述激光器芯片的上限制层上与所述左分布式布拉格光栅区和右分布式布拉格光栅区对应的位置刻蚀有布拉格光栅；所述激光器芯片的上限制层上与所述左分布式反馈激光器区和右分布式反馈激光器区对应的位置刻蚀有/波长相移光栅。本发明可以实现宽带且频谱平坦、无时延特征的混沌激光输出。