光子集成电路芯片和用于光子集成电路的组件

授权

摘要

本公开涉及光子集成电路芯片和用于光子集成电路的组件。一种光子集成电路芯片包括限定在第一层中的垂直光栅耦合器。第二绝缘层覆盖垂直光栅耦合器，并且具有金属层级的互连结构嵌入第二绝缘层中。腔体在深度上延伸穿过第二绝缘层直到在耦合器与最接近耦合器的金属层级之间的中间层级。腔体具有横向尺寸，使得腔体能够容纳用于保持光纤阵列的块，光纤阵列旨在光学耦合到耦合器。根据本公开的实施例能够将光子集成电路的光学输入和/或输出光学耦合到布置在保持块中的光纤阵列中的光纤。

基本信息

专利标题：

光子集成电路芯片和用于光子集成电路的组件

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202020419943.9

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-03-25

授权号：

CN211856976U

授权日：

2020-11-03

发明人：

F·伯夫L·马吉

申请人：

意法半导体（克洛尔2）公司;意法半导体股份有限公司

申请人地址：

法国克洛尔

代理机构：

北京市金杜律师事务所

代理人：

董莘

优先权：

CN202020419943.9

主分类号：

G02B6/12

IPC分类号：

G02B6/12 G02B6/124