不影响互连层的用于光子集成电路的扩大的波导
实质审查的生效
摘要
本公开涉及一种不影响互连层的用于光子集成电路的扩大的波导。结构和方法实现扩大的波导。该结构可以包括绝缘体上半导体(SOI)衬底，该SOI衬底包括位于半导体衬底上方的掩埋绝缘体层上方的绝缘体上半导体(SOI)层。层间电介质(ILD)层位于SOI衬底上方。第一波导具有至少部分地延伸到掩埋绝缘体层中的下表面，这允许波导的竖直扩大，而不增加ILD层的厚度或不增加到其他器件的互连的长度。扩大的波导可以包括氮化物，并且可以与其他常规的硅和氮化物波导一起实现。
基本信息
专利标题 ：
不影响互连层的用于光子集成电路的扩大的波导
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114488396A
申请号 ：
CN202111234475.3
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2021-10-22
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
卞宇生R·W·施波雷尔K·A·纳米
申请人 ：
格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
北京市中咨律师事务所
代理人 ：
林莹莹
优先权 ：
CN202111234475.3
主分类号 ：
G02B6/122
IPC分类号 ：
G02B6/122
IPC结构图谱
G
G部——物理
G02
光学
G02B
光学元件、系统或仪器附注
G02B6/00
光导；包含光导和其他光学元件的装置的结构零部件
G02B6/10
光波导式的
G02B6/12
集成光路类型
G02B6/122
基本光学元件，例如，传导光的光路
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G02B 6/122
申请日 : 20211022
申请日 : 20211022
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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