基于自对准刻蚀工艺的脊形波导电极窗口制作方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了基于自对准刻蚀工艺的脊形波导电极窗口制作方法，该方法包括：在刻蚀好脊形波导的外延片上沉积一层绝缘膜；在所述绝缘膜上涂一层光刻胶，并进行软烘；对所述光刻胶进行刻蚀，直至脊形波导上方的光刻胶被完全刻蚀后停止，并对残留的光刻胶进行硬烘；对硬烘后外延片上脊形上方的绝缘膜进行刻蚀；对脊形波导上方绝缘膜被完全刻蚀的外延片去胶，在所述脊形波导上得到电极窗口。本发明用于外延片上脊形波导电极窗口的制作，能在晶圆发生翘曲、光刻机对准精度不足的情况下，完成零对准偏差的电极窗口制备。
基本信息
专利标题 ：
基于自对准刻蚀工艺的脊形波导电极窗口制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114447763A
申请号 ：
CN202210083528.4
公开（公告）日 ：
2022-05-06
申请日 ：
2022-01-25
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
贺钰雯周坤杜维川李弋何林安张亮高松信唐淳
申请人 ：
中国工程物理研究院应用电子学研究所
申请人地址 ：
四川省绵阳市游仙区919信箱1013分箱
代理机构 ：
成都九鼎天元知识产权代理有限公司
代理人 ：
刘世权
优先权 ：
CN202210083528.4
主分类号 ：
H01S5/042
IPC分类号 ：
H01S5/042 H01S5/22
法律状态
2022-05-24 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01S 5/042
申请日 : 20220125
申请日 : 20220125
2022-05-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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