一种集成电路制造中提高对准精度的测试结构
专利权的终止
摘要
本实用新型公开了一种集成电路制造中提高对准精度的测试结构，内外对准结构为正多边形。其有益效果是不仅支持半导体工艺中普遍采用的X轴、Y轴两维测试，更能够满足先进的对角线布局设计的需求，测试对角倾斜方向的套准表现，大大减少了数据处理运算时间并提高了相应的精度，且多边边界分离的设计结构提高了图形对比度。
基本信息
专利标题 ：
一种集成电路制造中提高对准精度的测试结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN200620042880.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2006-06-19
授权号 ：
CN200983364Y
授权日 ：
2007-11-28
发明人 ：
朱骏
申请人 ：
上海集成电路研发中心有限公司
申请人地址 ：
201203上海市张江高科技园区碧波路177号华虹科技园4楼
代理机构 ：
上海智信专利代理有限公司
代理人 ：
王洁
优先权 ：
CN200620042880.X
主分类号 ：
H01L27/00
IPC分类号 ：
H01L27/00 H01L23/544
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
法律状态
2016-07-27 ：
专利权的终止
专利权有效期届满号牌文件类型代码 : 1611
号牌文件序号 : 101672085028
IPC(主分类) : H01L 27/00
专利号 : ZL200620042880X
申请日 : 20060619
授权公告日 : 20071128
终止日期 : 无
号牌文件序号 : 101672085028
IPC(主分类) : H01L 27/00
专利号 : ZL200620042880X
申请日 : 20060619
授权公告日 : 20071128
终止日期 : 无
2007-11-28 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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