具有高对准精度的晶圆对位识别设备
授权
摘要
本实用新型提供一种具有高对准精度的晶圆对位识别设备，设备包括：光敏测距器件，用于通过光学信号的接收和反馈，获取晶圆的翘曲分布值；吸附装置，设置于晶圆下方，吸附装置包括多个吸附单元，吸附装置根据晶圆的翘曲分布值，确定晶圆需要补偿的吸附值或吹气值，自晶圆底部向晶圆给予吸力或吹力，以定量补偿晶圆的形变量，使晶圆的多个对位图形在同一水平高度上。本实用新型根据晶圆的翘曲分布，对下卡盘不同区域接入相应的真空气孔，通过控制不同区域气孔的吸附值或吹气值，机械改变晶圆的翘曲状况，使晶圆的多个对位图形在同一水平高度上，使得在晶圆曝光/键合过程中，使得镜头对准精度误差大大减少，提高曝光/键合工艺质量。
基本信息
专利标题 ：
具有高对准精度的晶圆对位识别设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022493894.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-11-02
授权号 ：
CN213660355U
授权日 ：
2021-07-09
发明人 ：
霍进迁龚燕飞
申请人 ：
上海新微技术研发中心有限公司
申请人地址 ：
上海市嘉定区城北路235号1号楼
代理机构 ：
上海光华专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
罗泳文
优先权 ：
CN202022493894.6
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 H01L21/68 H01L21/683
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2021-07-09 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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