本实用新型公开了一种半导体刻蚀设备的上部电极内部具有多个通气孔，通气孔均匀分布在以上部电极中心为圆心的多个圆周上，通气孔为一个上圆柱孔与至少一个下圆柱孔的组合形通道，其中上圆柱孔直径大于下圆柱孔直径。一种优选方式是，通气孔为一个上圆柱孔与一个下圆柱孔的组合形通道，上圆柱孔与下圆柱孔为同心圆柱孔，在上部电极的一个直径上，通气孔随着与上部电极中心距离的增大，其上圆柱孔的深度增大。另一种优选方式是，通气孔为一个上圆柱孔与多个下圆柱孔的组合形通道，在上部电极的一个直径上，通气孔随着与上部电极中心距离的增大，其上圆柱孔的直径增大，下圆柱孔的数量增多。本实用新型改善刻蚀均一性，延长了使用寿命。