调节半导体刻蚀设备工艺腔顶针高度的方法
发明专利申请公布后的驳回
摘要
本发明公开了一种调节半导体刻蚀设备工艺腔顶针高度的方法，其采用在顶针与顶针停止装置之间增加垫片，即可调节顶针与硅片背面的距离，从而避免和减轻异常放电，且操作简单、使用方便。
基本信息
专利标题 ：
调节半导体刻蚀设备工艺腔顶针高度的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1970841A
申请号 ：
CN200510110706.4
公开（公告）日 ：
2007-05-30
申请日 ：
2005-11-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王健
申请人 ：
上海华虹NEC电子有限公司
申请人地址 ：
201206上海市浦东新区川桥路1188号
代理机构 ：
上海浦一知识产权代理有限公司
代理人 ：
丁纪铁
优先权 ：
CN200510110706.4
主分类号 ：
C23F4/04
IPC分类号 ：
C23F4/04 H01L21/3065
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23F
非机械方法去除表面上的金属材料；金属材料的缓蚀；一般防积垢；至少一种在C23大类中所列的方法及至少一种在C21D、C22F小类或者C25大类中所列的方法的多步法金属材料表面处理
C23F4/00
不包含在C23F1/00或C23F3/00组中的表面除去金属材料的工艺
C23F4/04
物理溶蚀法
法律状态
2010-01-27 ：
发明专利申请公布后的驳回
2007-07-25 ：
实质审查的生效
2007-05-30 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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