一种调节半导体刻蚀设备工艺腔顶针高度结构
授权
摘要
本实用新型公开了一种调节半导体刻蚀设备工艺腔顶针高度结构，涉及刻蚀设备技术领域，该调节半导体刻蚀设备工艺腔顶针高度结构，包括载物台，所述载物台的顶部设置有绝缘膜，所述绝缘膜远离载物台的一侧活动连接有硅片，所述载物台的一侧固定连接有第一支撑柱和第二支撑柱，所述第一支撑柱的外表面活动连接有弹簧，所述弹簧的一端活动连接有顶针板。该调节半导体刻蚀设备工艺腔顶针高度结构，通过在第一支撑柱上设置卡环，能够根据情况调整顶针板和载物台，便于调整针体和硅片的距离，避免了半导体刻蚀设备在氧化膜等离子刻蚀时经常发生异常放电，导致硅片背面有白色圆点缺陷的情况出现，实现了调整针体和硅片距离的目的。
基本信息
专利标题 ：
一种调节半导体刻蚀设备工艺腔顶针高度结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920896749.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-06-14
授权号 ：
CN210073777U
授权日 ：
2020-02-14
发明人 ：
廖海涛
申请人 ：
江苏邑文微电子科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省南通市如东县掘港街道金山路1号
代理机构 ：
北京商专永信知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
施荣华
优先权 ：
CN201920896749.7
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 H01J37/32 H01L21/687
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2020-02-14 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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