半导体设备及其电极装置
授权
摘要
本申请实施例提供了一种半导体设备及其电极装置。该电极装置设置于工艺腔室内，包括：包括：载台、叉指结构及指套；载台用于承载晶圆，且载台上开设有多个容置槽；叉指结构包括旋转盘及与旋转盘连接的多组叉指,任意一组所述叉指配合承载晶圆；每组叉指包括两个叉指，多个叉指沿周向排布于旋转盘的外周上，且叉指沿旋转盘的径向延伸设置；一个指套包裹一个叉指，且指套为导体，叉指为绝缘体；旋转盘受驱动旋转以及或者升降，以此驱动各叉指容置于各容置槽内，并且带动晶圆移动。本申请实施例提高了晶圆成膜的沉积速率及良品率。
基本信息
专利标题 ：
半导体设备及其电极装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111334782A
申请号 ：
CN202010128145.5
公开（公告）日 ：
2020-06-26
申请日 ：
2020-02-28
授权号 ：
CN111334782B
授权日 ：
2022-05-27
发明人 ：
徐龙江王建龙
申请人 ：
北京北方华创微电子装备有限公司
申请人地址 ：
北京市北京经济技术开发区文昌大道8号
代理机构 ：
北京天昊联合知识产权代理有限公司
代理人 ：
彭瑞欣
优先权 ：
CN202010128145.5
主分类号 ：
C23C16/458
IPC分类号 ：
C23C16/458 C23C16/50
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/458
在反应室中支承基体的方法
法律状态
2022-05-27 ：
授权
2020-07-21 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 16/458
申请日 : 20200228
申请日 : 20200228
2020-06-26 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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