半导体元件的电极
专利权的终止
摘要
一种直接与半导体元件的半导体区域相连的电极，其形状基本为方柱形。将与所述电极与半导体区域相接触的表面的一个边的长度定义为Ｌ，另一边定义为Ｗ，基本上与所述表面垂直相交方向上的长度定义为Ｈ，则使Ｌ、Ｗ、Ｈ满足Ｌ>Ｈ>Ｗ的关系式。
基本信息
专利标题 ：
半导体元件的电极
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1106163A
申请号 ：
CN93119316.8
公开（公告）日 ：
1995-08-02
申请日 ：
1991-05-31
授权号 ：
CN1037301C
授权日 ：
1998-02-04
发明人 ：
池田敦中村佳夫
申请人 ：
佳能株式会社
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 ：
王以平
优先权 ：
CN93119316.8
主分类号 ：
H01L21/28
IPC分类号 ：
H01L21/28 H01L23/52 H01L29/40
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/28
用H01L21/20至H01L21/268各组不包含的方法或设备在半导体材料上制造电极的
法律状态
2010-08-04 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101004433923
IPC(主分类) : H01L 21/28
专利号 : ZL931193168
申请日 : 19910531
授权公告日 : 19980204
号牌文件序号 : 101004433923
IPC(主分类) : H01L 21/28
专利号 : ZL931193168
申请日 : 19910531
授权公告日 : 19980204
1998-02-04 ：
授权
1995-08-02 ：
公开
1995-07-12 ：
实质审查请求的生效
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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