用于半导体设备的下电极组件
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
摘要

本发明涉及微电子技术领域,具体地涉及一种下电极组件。本发明公开的一种用于半导体设备的下电极组件,包括静电卡盘、卡盘基座、下电极,阴极内衬,阴极内衬设有法兰边,还包括卡盘支架、螺钉掩盖和下电极护罩,其中,卡盘支架置于卡盘基座内,螺钉掩盖套与阴极内衬的法兰边上表面配合,下电极护罩套装在下电极外面,所述的下电极护罩为分体结构,分为下电极护罩上部分、下电极护罩下部分。本发明的结构能大大减小下电极护罩加工制造以及装配的难度,同时,使下电极的维护变得更加方便。

基本信息
专利标题 :
用于半导体设备的下电极组件
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN1851860A
申请号 :
CN200510126388.0
公开(公告)日 :
2006-10-25
申请日 :
2005-12-08
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
国欣
申请人 :
北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
申请人地址 :
100016北京市朝阳区酒仙桥东路1号
代理机构 :
北京路浩知识产权代理有限公司
代理人 :
蔡世英
优先权 :
CN200510126388.0
主分类号 :
H01L21/00
IPC分类号 :
H01L21/00  H01L21/67  H01L21/683  H05H1/00  C23C14/00  C23C16/00  C23F4/00  
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
法律状态
2018-08-17 :
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
IPC(主分类) : H01L 21/00
变更事项 : 专利权人
变更前 : 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
变更后 : 北京北方华创微电子装备有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 100016 北京市朝阳区酒仙桥东路1号
变更后 : 100176 北京市北京经济技术开发区文昌大道8号
2008-03-05 :
授权
2006-12-20 :
实质审查的生效
2006-10-25 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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