压力调节组件、下电极装置、工艺腔室和半导体处理设备

授权

摘要

本发明公开了一种压力调节组件、下电极装置、工艺腔室和半导体处理设备。包括控制器和驱动结构；所述驱动结构的一控制端与所述控制器的输出端通信连接，另一端用于与所述压环连接；所述控制器，用于实时检测冷却气体的流量波动信号，并根据所述冷却气体的流量波动信号调节所述驱动结构施加至所述压环上的压力，以使得用于通入托盘和基座之间的所述冷却气体的流量稳定。压力调节组件包括控制器和驱动结构，控制器可以根据冷却气体的流量波动信号调节驱动结构所施加至压环上的压力，从而可以使得冷却气体的流量稳定，消除冷却气体的流量波动信号，进而能够有效消除冷却气体的泄漏现象，避免出现刻蚀废片，提高产品良率，降低制作成本。

基本信息

专利标题：

压力调节组件、下电极装置、工艺腔室和半导体处理设备

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN110767568A

申请号：

CN201810833465.3

公开（公告）日：

2020-02-07

申请日：

2018-07-26

授权号：

CN110767568B

授权日：

2022-05-27

发明人：

高明圆

申请人：

北京北方华创微电子装备有限公司

申请人地址：

北京市北京经济技术开发区文昌大道8号

代理机构：

北京天昊联合知识产权代理有限公司

代理人：

彭瑞欣

优先权：

CN201810833465.3

主分类号：

H01L21/67

IPC分类号：

H01L21/67 H01L21/683 H01L21/687

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L21/00

专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备

H01L21/67

专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置

法律状态

2022-05-27 ：

授权

2020-03-03 ：

实质审查的生效

IPC(主分类) : H01L 21/67
申请日 : 20180726

2020-02-07 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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