工艺腔室
授权
摘要
本实用新型提供一种工艺腔室，应用于半导体设备，工艺腔室包括腔室本体、设置于腔室本体上方的介质窗和用于向腔室本体内通入工艺气体的进气装置，介质窗的中心位置设有安装通孔，进气装置包括安装部和形成在安装部的喷头部，安装部设置在安装通孔中，喷头部的出气端设有中心进气孔组、中间进气孔组和边缘进气孔组，中间进气孔组环绕中心进气孔组设置，边缘进气孔组环绕中间进气孔组设置，且中心进气孔组、中间进气孔组和边缘进气孔组分别与腔室本体外的外部气源连接，用于向腔室本体内可选择性的通入工艺气体。本实用新型提供的工艺腔室能够实现更多的进气调节，实现如M型刻蚀、均匀刻蚀等多种能够满足特定的半导体工艺对等离子体的分布需求。
基本信息
专利标题 ：
工艺腔室
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202123427722.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-12-31
授权号 ：
CN216749802U
授权日 ：
2022-06-14
发明人 ：
弓晓晓李岩
申请人 ：
北京北方华创微电子装备有限公司
申请人地址 ：
北京市北京经济技术开发区文昌大道8号
代理机构 ：
北京天昊联合知识产权代理有限公司
代理人 ：
彭瑞欣
优先权 ：
CN202123427722.X
主分类号 ：
H01J37/32
IPC分类号 ：
H01J37/32 H01L21/67
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01J
放电管或放电灯
H01J37/00
有把物质或材料引入使受到放电作用的结构的电子管，例如为了对其检验或加工的
H01J37/32
充气放电管
法律状态
2022-06-14 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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