承载装置及工艺腔室
授权
摘要
本发明提供一种承载装置及工艺腔室，包括可升降的基座、至少三个可升降的顶针和托件，其中，基座能够上升至工艺位置或下降至传片位置，在其中设置有供顶针穿过且贯穿其厚度的通孔，托件的数量与通孔的数量相同，且一一对应的安装在各个通孔中，并能够相对基座升降，以在基座位于传片位置时，被顶针托起上升至第一位置，在第一位置时，托件的上表面高于基座的上表面，用于承载晶片；在基座自传片位置上升至工艺位置时，被基座托起上升至第二位置，在第二位置时，托件的上表面不高于基座的上表面。本发明提供的承载装置及工艺腔室，能够便于对托件进行拆装与维护，并能够减少基座的散热，提高晶片的加热均匀性，提高晶片的加工效果。
基本信息
专利标题 ：
承载装置及工艺腔室
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110265333A
申请号 ：
CN201910542006.4
公开（公告）日 ：
2019-09-20
申请日 ：
2019-06-21
授权号 ：
CN110265333B
授权日 ：
2022-06-14
发明人 ：
李萌
申请人 ：
北京北方华创微电子装备有限公司
申请人地址 ：
北京市北京经济技术开发区文昌大道8号
代理机构 ：
北京天昊联合知识产权代理有限公司
代理人 ：
彭瑞欣
优先权 ：
CN201910542006.4
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 H01L21/687 C23C14/50
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-06-14 ：
授权
2019-10-22 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/67
申请日 : 20190621
申请日 : 20190621
2019-09-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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