压环组件、工艺腔室和半导体处理设备

授权

摘要

本发明公开了一种压环组件、工艺腔室和半导体处理设备。包括隔热件、压环以及夹设在所述压环和所述隔热件之间的绝缘支撑件，所述隔热件位于所述压环上方，所述绝缘支撑件的两端分别与所述隔热件和所述压环抵接，并且，所述绝缘支撑件的两端的横截面尺寸大于其中部区域的横截面尺寸。本发明的压环组件，可以有效减少溅射粒子对绝缘支撑件上半部分的沉积，可有效保证绝缘支撑件保持绝缘状态，从而使得压环与隔热件之间保持绝缘状态，提高晶片的工艺良率，并可以有效降低射频功率损耗，降低制作成本。

基本信息

专利标题：

压环组件、工艺腔室和半导体处理设备

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN110660698A

申请号：

CN201810686292.7

公开（公告）日：

2020-01-07

申请日：

2018-06-28

授权号：

CN110660698B

授权日：

2022-04-22

发明人：

王宽冒郭浩蒋秉轩侯珏郑金果

申请人：

北京北方华创微电子装备有限公司

申请人地址：

北京市北京经济技术开发区文昌大道8号

代理机构：

北京天昊联合知识产权代理有限公司

代理人：

彭瑞欣

优先权：

CN201810686292.7

主分类号：

H01L21/67

IPC分类号：

H01L21/67 H01L21/687

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L21/00

专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备

H01L21/67

专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置

法律状态

2022-04-22 ：

授权

2020-02-04 ：

实质审查的生效

IPC(主分类) : H01L 21/67
申请日 : 20180628

2020-01-07 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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