一种半导体刻蚀设备
授权
摘要
本实用新型提供了一种半导体刻蚀设备，包括：至少一个装卸室和抽气泵；所述装卸室的抽气口和所述抽气泵的进气口通过管道连接；每一个所述装卸室和所述抽气泵之间的管道上分别设置有气流控制装置，用于防止气体反灌至所述装卸室。也就是说，该半导体刻蚀设备在解决了气体反灌问题的情况下，实现了同时对至少一个装卸室同时进行抽真空处理，其抽真空方式的效率较高，进而极大程度的提高了半导体刻蚀设备的产能。
基本信息
专利标题 ：
一种半导体刻蚀设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021909862.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-09-03
授权号 ：
CN212676226U
授权日 ：
2021-03-09
发明人 ：
谢海波梁玲张志雄李刚
申请人 ：
长江存储科技有限责任公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
李晓光
优先权 ：
CN202021909862.3
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2021-03-09 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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