一种半导体刻蚀装置
专利权的终止
摘要
一种半导体刻蚀装置,属于半导体设备领域。为解决成本较高的问题,以及解决成本问题后出现的各部位环境状态不均匀、各部位加工相互影响的问题,本实用新型提供了一种半导体刻蚀装置,包括半导体蚀刻设备,所述的半导体蚀刻设备包括工作腔,所述的工作腔内设有多个工作部分,所述的工作部分包括进气管、上部电极和下部电极,所述的多个工作部分固定在一个驱动台上,驱动台下侧所述的多个工作部分的进气管连接同一个蚀刻气体管道,所述的相邻工作部分之间设有隔离板,所述的驱动台与下部电极间设有垫台,所述的每个进气管的侧面均设有环境监测装置;实现同一环境内多个加工位,并且能够实时监测各部位环境状态是否均匀,防止各部位加工相互影响。
基本信息
专利标题 :
一种半导体刻蚀装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201921856087.7
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-10-31
授权号 :
CN210837667U
授权日 :
2020-06-23
发明人 :
刘山林
申请人 :
山东光弘半导体有限公司
申请人地址 :
山东省烟台市高新区蓝海路1号
代理机构 :
青岛高晓专利事务所(普通合伙)
代理人 :
张清东
优先权 :
CN201921856087.7
主分类号 :
H01L21/67
IPC分类号 :
H01L21/67 H01J37/16 H01J37/305
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2021-10-19 :
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 21/67
申请日 : 20191031
授权公告日 : 20200623
终止日期 : 20201031
申请日 : 20191031
授权公告日 : 20200623
终止日期 : 20201031
2020-06-23 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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