第三代半导体的刻蚀装置
专利申请权、专利权的转移
摘要
本实用新型公开一种第三代半导体的刻蚀装置，包括：加工平台和第一喷头，所述加工平台用于放置第三代半导体晶圆；以及，所述第一喷头位于所述加工平台的上方，所述第一喷头朝向所述加工平台设置，所述第一喷头用于连通刻蚀液。本实用新型技术方案有利于提升第三代半导体晶圆刻蚀的均匀性。
基本信息
专利标题 ：
第三代半导体的刻蚀装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021172297.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-06-22
授权号 ：
CN212113622U
授权日 ：
2020-12-08
发明人 ：
林大野徐文凯
申请人 ：
徐文凯
申请人地址 ：
广东省深圳市罗湖区笋岗东路嘉宝田花园鸿福阁10C
代理机构 ：
深圳市世纪恒程知识产权代理事务所
代理人 ：
张婷
优先权 ：
CN202021172297.7
主分类号 ：
H01L21/306
IPC分类号 ：
H01L21/306 H01L21/67
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/302
改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/306
化学或电处理，例如电解腐蚀
法律状态
2021-10-12 ：
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移IPC(主分类) : H01L 21/306
登记生效日 : 20210927
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 徐文凯
变更后权利人 : 深圳镓芯半导体科技有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 广东省深圳市罗湖区笋岗东路嘉宝田花园鸿福阁10C
变更后权利人 : 广东省深圳市光明区光明街道碧眼社区华强创意产业园4栋B座1006
登记生效日 : 20210927
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 徐文凯
变更后权利人 : 深圳镓芯半导体科技有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 广东省深圳市罗湖区笋岗东路嘉宝田花园鸿福阁10C
变更后权利人 : 广东省深圳市光明区光明街道碧眼社区华强创意产业园4栋B座1006
2020-12-08 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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