一种半导体刻蚀清理装置
授权
摘要
本实用新型涉及半导体制造技术领域，且公开了一种半导体刻蚀清理装置，包括腔体和分子泵，所述腔体的底端固定连接有分子泵，分子泵的前端安装有U型管，且U型管的上端与腔体的底端固定连接，所述U型管的中间位置下端安装有清理装置，且清理装置的内侧滑动套接有排气管。该种半导体刻蚀清理装置，在聚合物通过腔体下端的落料孔，掉落至U型管内，然后落入滤网上方，一些体积较大的聚合物被留在了滤网上方，即可手握清理装置向上滑动，清理棒跟随向上运动，其顶端伸出滤网表面，则清理棒侧面的吸料孔开始吸收滤网表面的聚合物，当吸收掉滤网上方的聚合物后，即可拉动清理装置向下移动，恢复原位置，完成清理工作。
基本信息
专利标题 ：
一种半导体刻蚀清理装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922419330.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-30
授权号 ：
CN211295048U
授权日 ：
2020-08-18
发明人 ：
毕泽
申请人 ：
常州弘盛达电子设备有限公司
申请人地址 ：
江苏省常州市新北区乐山路58号
代理机构 ：
泉州市兴博知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
王成红
优先权 ：
CN201922419330.5
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2020-08-18 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
