一种硅电极气孔刻蚀装置及气孔刻蚀方法
公开
摘要
本发明公开了一种硅电极气孔刻蚀装置，包括带有酸液循环结构的治具组件，所述的治具组件内部设置有卡接装置，所述的卡接装置内部卡接有多层分流板，多层分流板上方的卡接装置上设置有硅电极压槽；所述的分流板上设置有若干连通酸液循环结构的液孔，相邻两层分流板上的液孔错位设置。还公开了一种利用硅电极气孔刻蚀装置进行硅电极气孔刻蚀的方法。该硅电极气孔刻蚀装置，解决了硅电极刻蚀时气孔刻蚀不到和不均匀的问题；酸液从底部进入，在内循环流动，酸液槽及分流板的设置，既能够降低酸液的压力，又能够有效阻挡杂质，并通分流板上下错位转动，调节酸液的流速，使整体更加均匀；装置采用耐腐蚀性好的塑料材质，有效避免杂质离子的代入和掺杂。
基本信息
专利标题 ：
一种硅电极气孔刻蚀装置及气孔刻蚀方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114566440A
申请号 ：
CN202111421361.X
公开（公告）日 ：
2022-05-31
申请日 ：
2021-11-26
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
裴翔鹰叶天爱李长苏
申请人 ：
杭州盾源聚芯半导体科技有限公司
申请人地址 ：
浙江省杭州市滨江区滨康路668号C幢
代理机构 ：
杭州杭诚专利事务所有限公司
代理人 ：
郑汝珍
优先权 ：
CN202111421361.X
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-05-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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