超高真空原位薄膜刻蚀电极生长系统
授权
摘要
本实用新型公开了一种超高真空原位薄膜刻蚀电极生长系统，快速进样室包括第一传样杆、高真空腔体部、第一超高真空插板阀，所述第一传样杆与所述高真空腔体部刀口法兰密封连接，电极生长室包括超高真空腔体部、第一真空获得系统、第一真空测量系统，所述快速进样室的第一超高真空插板阀与所述电极生长室的超高真空腔体部刀口法兰密封连接。本实用新型公开的一种超高真空原位薄膜刻蚀电极生长系统，可以对生长好的薄膜样品进行特殊形状的刻蚀加工并原位生长电极获得用于测量材料输运特性的特殊样品。
基本信息
专利标题 ：
超高真空原位薄膜刻蚀电极生长系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921484951.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-09-06
授权号 ：
CN210953570U
授权日 ：
2020-07-07
发明人 ：
王文杰
申请人 ：
仪晟科学仪器（嘉兴）有限公司
申请人地址 ：
浙江省嘉兴市南湖区亚太路906号（中科院三期）17号楼2楼203室
代理机构 ：
嘉兴启帆专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
张抗震
优先权 ：
CN201921484951.5
主分类号 ：
G01N1/28
IPC分类号 ：
G01N1/28 G01N1/32 C23C14/04 C23C14/26 C23C14/30 C23C14/52
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01N
借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析材料
G01N1/00
取样；制备测试用的样品
G01N1/28
测试用样品的制备
法律状态
2020-07-07 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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