超高真空原位微型薄膜与电极生长系统
授权
摘要
本实用新型公开了一种超高真空原位微型薄膜与电极生长系统,包括超高超高真空腔体部和样品传递系统,所述样品传递系统包括第一传样杆和第二传样杆,所述第一传样杆和所述第二传样杆分别位于所述超高真空腔体部的侧端并且分别与超高真空腔体部刀口法兰密封连接;所述样品制备机构包括样品台和位置调节机构,所述样品制备机构位于所述超高真空腔体部的上端并且部分内嵌于所述超高真空腔体部,所述样品制备机构与所述超高真空腔体部通过刀口法兰密封连接。本实用新型公开的一种超高真空原位微型薄膜与电极生长系统,其可以通过在超高真空内原位薄膜生长和电极生长制作微型复杂图案的输运测试样品。
基本信息
专利标题 :
超高真空原位微型薄膜与电极生长系统
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201921478830.X
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-09-06
授权号 :
CN210775554U
授权日 :
2020-06-16
发明人 :
王文杰
申请人 :
仪晟科学仪器(嘉兴)有限公司
申请人地址 :
浙江省嘉兴市南湖区亚太路906号(中科院三期)17号楼2楼203室
代理机构 :
嘉兴启帆专利代理事务所(普通合伙)
代理人 :
张抗震
优先权 :
CN201921478830.X
主分类号 :
G01Q60/00
IPC分类号 :
G01Q60/00 G01Q30/20 G01Q30/16 G01Q30/10 G01Q30/02
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量;测试
G01Q
扫描探针技术或设备;扫描探针技术的应用,例如,扫描探针显微术
G01Q60/00
特殊类型的SPM或其设备;其基本组成
法律状态
2020-06-16 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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