样品台、薄膜生长设备和原位测量系统
公开
摘要
本发明公开了样品台、薄膜生长设备和原位测量系统。该原位样品台包括导热样品座、配套使用的用于固定衬底的第一环形绝缘压片、第二环形绝缘压片和紧固件，以及两组探针组件。探针组件中探针臂支架上部设有探针臂通道且中部设有弹性件，探针臂穿过探针臂通道且可上下移动和/或水平转动；弹性件的一端与探针臂支架相连，弹性件的另一端与探针臂可拆卸相连；金属导线贯穿探针臂且其一端与金属探针相连另一端适于与电化学测试装置相连；弹性件与探针臂相连时处于拉伸状态，探针臂在弹性件的回弹力作用下可使金属探针与集电极接触。采用该样品台可实现薄膜生长设备和电化学测试装置的耦合，原位精确、方便、高效地测试薄膜样品的高温电化学性能。
基本信息
专利标题 ：
样品台、薄膜生长设备和原位测量系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114622177A
申请号 ：
CN202210128721.5
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2022-02-11
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陈迪赵云许建兵苏虹阳刘鹏
申请人 ：
清华大学
申请人地址 ：
北京市海淀区清华园
代理机构 ：
北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
黄德海
优先权 ：
CN202210128721.5
主分类号 ：
C23C14/50
IPC分类号 ：
C23C14/50 C23C14/52 C23C14/24 C23C14/28 C23C14/35 G01N27/416
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/50
基座
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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